Texas Instruments LM74670-SQEVM评估模块 (EVM)
Texas Instruments LM74670-SQEVM评估模块 (EVM) 演示了作为备用肖特基势垒二极管和N沟道MOSFET时的反向极性保护。在反向极性保护解决方案中，LM74670智能二极管控制器用于为40V (VDS) 外部N沟道MOSFET提供栅极驱动器。LM74670-SQEVM串联到电源时可模拟理想的二极管功能。当在输入侧感测到负电压时，LM74670下拉MOSFET栅极，将荷载从电源中隔离开。得益于TVS电压钳位二极管D1_1和D1_2，LM74670-SQEVM能够安全用于ISO7637瞬变脉冲测试。
特性
- 最大反向电压：-45V
- 对反向动态电流的快速响应时间<10μs
- 最大输入电压为MOSFET的漏源极电压：40V
- 最大荷载电流为漏极电流 (Id)：75A
- 零Iq和低反向漏 电流
- 符合汽车ISO7637和CISPR25要求
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可配合N沟道MOSFET用在交流发电机的半桥或全桥整流器构架中。
发布日期: 2016-02-09
| 更新日期: 2022-03-11