Texas Instruments LM74720-Q1理想二极管控制器

Texas Instruments LM74720-Q1理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET，模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3 V至65 V宽输入电源支持保护和控制12 V和24 V汽车电池供电ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器(GATE)可驱动首个MOSFET，用于替代肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持。强大的升压稳压器具有快速导通和关断比较器，可确保在汽车测试期间（如ISO16750或LV124）实现稳健高效的MOSFET开关性能，在此类测试中，ECU会经历输入短时中断以及频率高达100kHz的交流叠加输入信号。低静态电流（运行时最大值为35µA），可实现不间断系统设计。Texas Instruments LM74720-Q1支持通过电源路径中具有第二个MOSFET的EN引脚进行负载断开控制。EN低电平时，静态电流低至3.3µA（最大值）。该器件具有可调节过压切断保护功能，用于负载突降保护。