Texas Instruments LM7480x-Q1理想二极管控制器

Texas Instruments LM7480x-Q1理想二极管控制器驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET，以模拟理想二极管整流器进行电源路径开/关控制和过压保护。3 V至65 V宽输入电源支持保护和控制12 V和24 V汽车电池供电ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 驱动第一个替代肖特基二极管的MOSFET进行反向输入保护和输出电压保持。该器件在电源路径中设有第二个MOSFET，可通过HGATE控制实现负载断开（开/关控制）和过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。Texas Instruments LM7480x-Q1控制器可驱动采用共漏极和共源配置的外部MOSFET。通过功率MOSFET的常见漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于OR-ing设计。LM7480x-Q1的最大额定电压为65V。在共源拓扑中给器件配置外部MOSFET，就可以保护负载免受扩展的过压瞬变（例如24V电池系统中200V未经抑制的抛负载）的影响。