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Texas Instruments
NexFET功率级IC - TI
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Texas Instruments NexFET功率级IC
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Texas Instruments NexFET功率级IC是经过优化的驱动器IC,采用了双NexFET MOSFET。这样即可在典型的大电流POL设计中实现更高效率。这些器件具有超低Qg和Qgd,与同类产品相比,可实现更高的开关频率,虽然频率高达两倍,但功率损耗却相同。这样可以改善瞬态响应,减少所需的输出电容器数量。输出滤波器(电容器和电感器)的尺寸最多可减小1/2。这些器件配有独特的接地焊盘引线框架和引脚分配,便于客户布局,并提高了运行和散热性能。与典型的分立式解决方案相比,这些器件采用更小的封装,从而节省了电路板空间。
特性
经过优化的驱动器IC,具有双NexFET MOSFET
超低Qg和Qgd
独特的接地焊盘引线框架和引脚分配
相比分立式解决方案,封装尺寸更小
二极管仿真
超低静态(ULQ) 电流模式
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Texas Instruments NexFET™功率MOSFET
能够实现90%的供电效率并使频率加倍。
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发布日期: 2019-04-18 | 更新日期: 2023-08-21