Texas Instruments SN74SSTUB 32864 25位可配置寄存器缓冲器
Texas Instruments SN74SSTUB32864 25位可配置寄存器缓冲器设计用于1.7V至1.9V VCC运行。在1:1引脚分配配置中，每个DIMM仅需一个器件即可驱动9个SDRAM负载。在1:2引脚分配配置中，每个DIMM需要两个器件即可驱动18个SDRAM负载。除复位 (RESET) 和控制 (Cn) 输入 (LVCMOS) 外，所有输入均为SSTL_18。所有输出均为边缘控制电路，优化用于未端接DIMM负载，符合SSTL_18规范。
Texas Instruments SN74SSTUB32864采用差分时钟（CLK和CLK\）工作。数据在CLK高电平和CLK低电平交叉点寄存。C0输入控制寄存器A配置（低电平时）至寄存器B配置（高电平时）的1:2引脚分配配置。C1输入控制25位1:1（低电平时）至14位1:2（高电平时）的引脚分配配置。正常运行时不应切换C0和C1。控件应硬接线到有效低电平或高电平，以便在所需模式下配置寄存器。在25位1:1引脚分配配置中，A6、D6和H6端子被驱动为低电平，是不使用 (DNU) 引脚。
在DDR2 RDIMM应用中，RESET被指定为与CLK和CLK完全异步。因此，不能确保两者之间的时间关系。输入复位时，清除寄存器，数据输出快速驱动至低电平，相对于禁用差分输入接收器所需的时间。然而，重置时，寄存器会快速激活，相对于启用差分输入接收器所需的时间。只要数据输入为低电平，从RESET的低至高电平转换到输入接收器完全启用，则SN74SSTUB32864的设计可确保输出保持低电平，从而确保输出不会出现毛刺脉冲。
特性
- Texas Instruments Widebus+™系列成员
- 引脚分配优化DDR2 DIMM PCB布局
- 可配置为25位1:1或14位1:2寄存缓冲器
- 芯片选择输入从变化状态进入数据输出，并最大限度地降低系统功耗
- 输出边缘控制电路可最大限度地降低未端接线路中的开关噪声
- 支持SSTL_18数据输入
- 差分时钟（CLK和CLK）输入
- 支持控制和RESET输入上的LVCMOS开关电平
- 支持工业温度范围（-40°C至85°C）
- RESET输入可禁用差分输入接收器，重置所有寄存器，强制所有输出为低电平
发布日期: 2021-02-05
| 更新日期: 2022-03-28