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Texas Instruments TPL7407LA/TPL7407LA-Q1 NMOS阵列低侧驱动器

Texas Instruments TPL7407LA/TPL7407LA-Q1 NMOS阵列低侧驱动器是一款高电压、大电流NMOS晶体管阵列。该器件由七个NMOS晶体管组成，具有高电压输出，以及用于切换电感负载的共阴极钳位二极管。单个NMOS通道的最大漏极额定电流为600mA。添加新的调节和驱动电路，在所有GPIO范围（1.8V至5V）内提供最高驱动强度。 这些晶体管可以并联，以实现更高电流能力。TPL7407LA/TPL7407LA-Q1的主要优势是与双极达林顿实施相比，其效率更高，漏电流更低。因为VOL较低，所以该器件的功耗还不到传统继电器驱动器的一半，每通道电流小于250mA。TPL7407LA-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100认证。

特性

  • 600mA额定漏电流（每通道）
  • CMOS引脚对引脚改进7通道达林顿阵列（例如ULN2003A）
  • 节能（超低VOL）
    • VOL（100mA时）低于达林顿阵列4倍以上
  • 超低输出漏电流<10nA每通道
  • 扩展环境温度范围：
  • TA=–40°C至+125°C
  • 高压输出30V
  • 兼容1.8V至5V微控制器和逻辑接口
  • 用于感应反冲保护的内部自振荡二极管
  • 输入下拉电阻器可实现三态输入驱动器
  • 用来消除嘈杂环境中寄生运行的输入电阻电容 (RC) 缓冲器
  • 电感负载驱动器应用
  • ESD保护性能超出JESD 22标准
    • 2kV HBM、500V CDM

应用

  • 电感负载
  • 继电器
  • 单极步进电机和有刷直流电机
  • 螺线管和阀门
  • LED
  • 逻辑电平转换
  • 栅极和IGBT驱动

数据手册

功能框图

框图 - Texas Instruments TPL7407LA/TPL7407LA-Q1 NMOS阵列低侧驱动器
发布日期: 2017-10-19 | 更新日期: 2022-07-05