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Texas Instruments TPS51116 DDR转换开关和LDO

Texas Instruments TPS51116 DDR转换开关和LDO提供用于DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18和DDR3内存系统的完整电源。该TI器件集成了一个具有3A拉电流/灌电流跟踪线性稳压器和经缓冲的低噪声基准的同步降压控制器。TPS51116在空间受限的系统中提供最低的总解决方案成本。TPS51116同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频400kHz、伪恒定频率脉宽调制 (PWM)，此控制可在D-CAP模式下配置以便于使用并实现最快瞬态响应，或者在电流模式下配置以支持陶瓷输出电容器。3A拉电流/灌电流LDO只需20µF (2×10µF) 陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。

特性

  • 同步降压控制器 (VDDQ)
    • 宽输入电压范围：3.0V至28V
    • D-CAP™模式，具有100ns负载阶跃响应
    • 电流模式选项支持陶瓷输出电容器
    • 支持S4/S5状态下的软关闭
    • 通过RDS(on) 或电阻器进行电流检测
    • 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2)，可调节至1.5V (DDR3) 或输出范围0.75V至3.0V
    • 配备电源良好、过压保护和欠压保护
  • 3A LDO (VTT)，经缓冲基准 (VREF)
    • 拉电流和灌电流的能力达到3A
    • 提供LDO输入以优化功率损耗
    • 仅需20µF陶瓷输出电容器
    • 经缓冲的低噪声10mA VREF输出
    • 针对VREF和VTT的±20mV精度
    • 在S3中支持高阻抗 (High-Z)，在S4/S5中支持软关闭
    • 热关断

应用

  • DDR/DDR2/DDR3/LPDDR3存储器电源
  • SSTL-2、SSTL-18和HSTL终端
发布日期: 2019-10-21 | 更新日期: 2023-12-20