特性
- TI-专有集成MOSFET和封装技术
- 支持DDR内存终端,高达6A连续输出拉或灌电流
- 外部跟踪
- 极少外部元件
- 6V转换电压
- D-CAP+模式架构
- 支持所有MLCC输出电容器和SP/POSCAP
- 可选SKIP模式或强制CCM
- 轻重负载下实现最优效率
- 可选600kHz或1MHz开关频率
- 可选过流限制 (OCL)
- 过压、过温和断续模式欠压保护
- 可调节输出电压自2V
- 3.5mm×4mm,20引脚 ,VQFN封装
应用
- 用于DDR、DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4的存储器终端稳压器
- VTT终端
- 低电压应用,0.9V至6V输入轨
Simplified Application Circuit
Functional Block Diagram
发布日期: 2016-01-15
| 更新日期: 2022-03-11

