Texas Instruments TPS65295 DDR4内存电源解决方案
Texas Instruments TPS65295 DDR4内存电源解决方案集成了两个同步降压转换器（VPP和VDDQ）和一个1A灌电流和拉电流跟踪LDO (VTT) 以及一个缓冲式低噪声电压基准 (VTTREF)。TPS65295具有各种功能以及出色的电源性能。该器件采用D-CAP3™模式并具有600kHz开关频率，因此简单易用并可实现快速瞬变，另外还支持陶瓷输出电容且无需外部补偿电路。
TPS65295 DDR4内存电源解决方案符合JEDEC标准要求的DDR4上电和断电序列。该器件支持灵活的电源状态控制，在S3下将VTT置于高阻态，并在S4/S5状态下对VDDQ、VTT和VTTREF进行放电。其他特性包括OVP、UVP、OCP、UVLO和热关断保护。TPS65295采用散热增强型18引脚HotRod™ VQFN封装，设计用于在–40°C至125°C结温范围内工作。
特性
- 同步降压转换器 (VDDQ)
- 输入电压范围：4.5V至18V
- 固定输出电压为1.2V
- D-CAP3™模式控制，实现快速瞬态响应
- 连续输出电流：8A
- 高级Eco-mode™脉冲跳跃
- 集成22mΩ和8.6mΩ RDS(on) 内部电源开关
- 600kHz开关频率
- 内部软启动：1.6ms
- 逐周期过流保护
- 锁存输出OV和UV保护
- 缓冲电压基准 (VTTREF)
- 缓冲、低噪声、±10mA功能
- 0.8%的输出精度
- 输出放电功能
- 上电和掉电排序控制
- 非锁存OT和UVLO保护
- 18引脚3.0mm × 3.0mm HotRod™ VQFN封装
- 同步降压转换器 (VPP)
- 输入电压范围：3V至5.5V
- 固定输出电压为2.5V
- D-CAP3™模式控制，实现快速瞬态响应
- 连续输出电流：1A
- 高级Eco-mode™脉冲跳跃
- 集成150mΩ和120mΩ RDS(on) 内部电源开关
- 580kHz开关频率
- 内部软启动：1ms
- 逐周期过流保护
- 锁存输出OV和UV保护
- 1A LDO (VTT)
- 1A持续灌电流和拉电流
- 仅需10µF的陶瓷输出电容器
- 支持S3下的高阻态
- ±30mV VTT输出精度 (DC+AC)
- 低静态电流：150µA
- 电源良好指示器
应用
- DDR4内存电源
- 笔记本电脑、PC电脑和服务器
- 超级本、平板电脑
- 单板计算机、模块化计算机
框图
评估模块
Texas Instruments TPS65295EVM-079评估模块
能够全面评估TPS65295全套电源解决方案的功能。
发布日期: 2019-03-20
| 更新日期: 2023-08-08