Texas Instruments TPS737线性LDO稳压器

Texas Instruments TPS737线性低压差(LDO)稳压器在电压跟随器配置中使用NMOS导通晶体管。该拓扑结构对ESR和输出电容值的敏感度相对较低。此功能有助于实现各种负载配置。即使搭配较小的1µF陶瓷输出电容器,负载瞬态响应也非常出色。NMOS拓扑结构还可实现极低的压差。

TPS737采用先进的BiCMOS工艺,实现高精度的同时,可提供极低的压差电压和接地引脚电流。带有M3后缀的器件型号采用依托当前TI工艺技术的最新设计。未启用时,电流消耗小于20nA。该功能专为便携式应用而设计。热关断和折返限流功能可为器件提供保护。

对于需要更高输出电压精度的应用,用户应考虑使用Texas Instruments TPS7A37 1%总精度、1A低压差稳压器。

特性

  • 在搭配1µF或更大陶瓷输出电容器时可稳定工作
  • 2.2 V 到 5.5 V 的输入电压范围
  • 超低压差电压
    • 传统硅:130mV(1A时典型值)
    • 新硅(M3后缀):122mV(1A时典型值)
  • 即使采用1µF输出电容器,也能实现出色的负载瞬态响应
  • NMOS拓扑结构具有低反向漏电流
  • 初始精度:1%
  • 在整个线路、负载和温度范围内的整体精度
    • 传统硅:3%
    • 新硅(M3后缀):1.5%
  • 关断模式下IQ 小于20nA(典型值)
  • 热关断和电流限制,用于故障保护
  • 提供多种输出电压版本
    • 可调输出:1.20V至5.5V
    • 可使用工厂封装级编程提供定制输出

应用

  • 针对DSP、FPGA、ASIC和微处理器的负载点调节
  • 针对开关电源的后置稳压
  • 便携式和电池供电设备

视频

典型应用电路

应用电路图 - Texas Instruments TPS737线性LDO稳压器
发布日期: 2024-03-07 | 更新日期: 2024-05-09