Texas Instruments TPS766 LDO线性稳压器
Texas Instruments TPS766低压差（LDO）线性稳压器支持高达250mA的负载电流，输入电压范围为2.5V至16V（新芯片）。该器件的输入电压高达16V（新芯片），使其非常适用于稳压电源轨（如10V或12V）和变压器次级绕组供电。此外，该器件具有宽输出电压范围，因此能够为碳化硅（SiC）栅极驱动器和麦克风产生偏置电压，并为微控制器（MCU）和处理器供电。
高带宽PSRR性能在1kHz时大于70dB，在1MHz时大于46dB（新芯片），因此有助于衰减上游DC/DC转换器的开关频率，并最大限度地减少后置稳压器滤波。新芯片支持内部软启动电路机制，可减小启动期间的浪涌电流，从而降低输入电容。传统芯片可在整个负载电流范围内提供恒定的静态电流（对于0mA至250mA的整个输出电流范围，通常为35µA）。
Texas Instruments TPS766 LDO还具有睡眠模式。在该模式下，向EN（使能）施加TTL高电平信号可关闭稳压器。在禁用模式下，新芯片的静态电流约为1.6µA（典型值），而传统芯片的静态电流小于1µA（典型值）。电源正常（PG）为高电平有效输出，可用于实现上电复位或低电池电量指示器。后缀M3是采用TI最新工艺技术全新设计的新芯片代号。TPS766采用8引脚SOIC封装。
特性
- 输入电压范围
- 传统芯片：2.7V至10V（绝对最大值为13.5V)
- 新芯片：2.5V至16V（绝对最大值为18V）
- 输出电压范围
- 传统芯片：1.5V至5V（固定）和1.25V至5.5V（可调）
- 新芯片：1.2V至12V（固定）和0.8V至14.6V（可调）
- 输出电流：高达250mA
- 输出精度
- 传统芯片：3%（整个负载和温度范围内）
- 新芯片：1%（整个负载和温度范围内）
- 低静态电流（IQ）
- 传统芯片：空载时典型值为35µA
- 新芯片：空载时典型值为55µA
- IQ（禁用状态）
- 传统芯片：10µA（最大值）
- 新芯片：4µA（最大值）
- 压差（新芯片）
- 250mA时高达225mV（典型值）(TPS76650)
- 高PSRR：46dB（1MHz时）（新芯片）
- 内部软启动时间：750μs（典型值）（新芯片）
- 过流限制和热保护
- 与2.2µF或更高电容器搭配使用时可保持稳定（新芯片）
- 开漏电源良好
- 封装：8引脚、4.9mm × 6mm SOIC (D)
应用
- 家用空调
- 车身电子设备和照明
- HVAC系统
- 洗衣机和烘干机
视频
功能框图
发布日期: 2024-03-08
| 更新日期: 2024-05-09