主电源路径通过IN引脚,可以连接至低至140mV(高于输出电压)的电源。该器件使用一个用于为LDO的内部电路供电的附加VBIAS电源轨,支持极低的输入电压。IN和BIAS引脚分别消耗1.6µA和6µA的极低静态电流。低IQ和超低压差特性有助于提高该解决方案在功耗敏感型应用中的效率。
特性
- 超低输入电压范围:0.75V至3.3V
- 超低压差,实现最低功率损耗
- 采用500mA DRV封装时为140mV(最大值)
- 采用500mA YKA封装时为110mV(最大值)
- 低静态电流
- VIN IQ = 1.6µA(典型值)
- VBIAS IQ = 6µA(典型值)
- 负载、线路和温度范围内的精度:1.5%
- 高PSRR:1kHz时为64dB
- 可提供固定输出电压
- 0.5V至3.0V(50mV步进)
- VBIAS范围:1.7V至5.5V
- 封装
- 2.0mm×2.0mm WSON (6)
- 0.74mm×1.09mm DSBGA (5)
- 有源输出放电
应用
- 智能手表、健身追踪器
- 无线耳机与耳塞
- 相机模块
- 智能手机和平板
- 便携式医疗设备
- 固态硬盘 (SSD)
功能框图
发布日期: 2018-10-31
| 更新日期: 2023-07-18

