Texas Instruments TPSI2072-Q1双通道隔离式固态继电器
Texas Instruments TPSI2072-Q1双通道隔离式固态继电器（SSR）设计用于高压汽车和工业应用。TPSI2072-Q1采用TI的高可靠性电容隔离技术，与内部背对背MOSFET，形成无需二次侧电源的完全集成解决方案。TPSI2072-Q1提高了系统可靠性，因为TI的电容隔离技术不会受到机械继电器和光电继电器元件常见的机械磨损或光电衰减故障模式的影响。
该器件的一次侧仅由9mA输入电流供电，并集成故障安全EN1和EN2引脚，防止为VDD 电源供电。在大多数应用中，器件的VDD 引脚应连接到4.5V至20V的系统电源，器件的EN1和EN2引脚应由GPIO输出驱动，逻辑高电平范围为2.1V至20V。在其他应用中，VDD 、EN1和EN2引脚可直接由系统电源或GPIO输出驱动。
二次侧的每个通道均由背对背MOSFET组成，关态电压为+/-600V（SM至S1和S2）。TPSI2072-Q1 MOSFET的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够可靠地支持系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达2mA的直流快速充电器浪涌电流。
特性
- 符合汽车应用标准
- 符合AEC-Q100 1级（-40至125°C TA）
- 集成耐雪崩MOSFET
- 设计且符合标准，可靠性高，适用于介电耐压测试（耐压）
- IAVA = 2mA（5s脉冲），1mA（60s脉冲）
- VHIPOT，5s = 4300V，Rseries > 1.83MΩ
- VHIPOT，5s = 2850V，Rseries > 1.1MΩ
- 关态电压：600V
- RON = 65Ω（TJ = 25°C)
- IOFF = 1µA（500V时，TJ = 105°C）
- 设计且符合标准，可靠性高，适用于介电耐压测试（耐压）
- 一次侧电源电流低
- 5mA单通道、9mA双通道导通状态电流
- 确保功能安全
- 可帮助进行ISO 26262和IEC 61508系统设计的文档
- 稳健可靠的隔离栅
- 在1000VRMS/1500VDC 工作电压下，预计使用寿命为26年
- 隔离等级VISO，高达3750VRMS/5300VDC
- SOIC 11引脚（DWQ）封装，具有宽引脚，可提高散热性能
- 爬电距离和间隙 ≥8mm（初级-次级）
- 爬电距离和间隙≥3mm（开关端子之间）
- 安全相关认证
- （计划）DIN VDE V 0884-11:2017-01
- （计划）UL 1577组件认证计划
应用
- 固态继电器
- 混合动力、电动和动力传动系统
- 电池管理系统 (BMS)
- 储能系统 (ESS)
- 太阳能
- 车载充电器
- 电动汽车充电基础设施
视频
简化应用原理图
相关开发工具
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发布日期: 2023-08-23
| 更新日期: 2025-03-11