Texas Instruments TSDxxC/TSDxxC-Q1双向TVS二极管
Texas Instruments TSDxxC/TSDxxC-Q1双向TVS二极管设计用于钳位ESD和浪涌等有害瞬态电压。TSDxxC/TSDxxC-Q1器件的额定ESD冲击消散值高达 ±30kV（接触和气隙放电），超过IEC 61000-4-2国际标准（4级）中规定的最高水平。
TSDxxC/TSDxxC-Q1结合了强大的钳位性能和低电容，是用于在多种应用中保护数据和电源线的理想TVS二极管。TSDxxC/TSDxxC-Q1系列采用行业标准引线SOD-323封装，易于焊接。Texas Instruments TSDxxC-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100认证。
特性
- IEC 61000-4-2 ESD保护
- ±30kV接触放电
- ±30 kV气隙放电
- IEC 61000-4-5浪涌保护：6.5A至30A (8/20μs)
- 低IO电容：< 7pF（典型值）
- 超低漏电流：10nA（最大值）
- 工业温度范围：-55°C至+150°C
- 行业标准SOD-323引线式封装 (2.65 mm × 1.3 mm)
应用
- I/O保护
- 电力线保护
- USB VBUS
- 电器
- 医疗和保健
- 零售自动化
相关开发工具
Texas Instruments ESDEVM评估模块 (EVM)
采用所有的传统ESD尺寸，从而能够测试任意数量的器件。
功能框图
其他资源
发布日期: 2024-12-18
| 更新日期: 2025-05-06