Texas Instruments UCC21717-Q1隔离式单通道栅极驱动器
Texas Instruments UCC21717-Q1隔离式单通道栅极驱动器设计用于驱动高达1700V SiC MOSFET和IGBT。它具有高级集成保护、出色的动态性能和稳健性。UCC21717-Q1具有高达±10A峰值拉电流和灌电流。输入侧与输出侧隔离，采用SiO2 电容式隔离技术，支持高达1.5kVRMS 工作电压、12.8kVPK 浪涌抗扰度（隔离栅寿命超过40年），并具有较低的零件间偏移和150V/ns共模噪声抗扰度（CMTI）。
Texas Instruments UCC21717-Q1具有先进的保护特性，例如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源UVLO，以优化SiC和IGBT的开关特性和稳健性。隔离式模拟转PWM传感器可用于简化温度或电压检测，提高驱动器的多功能性，并简化系统设计工作、减小尺寸和降低成本。
特性
- 5.7kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
- 符合汽车应用类AEC-Q100标准
- 器件温度0级（-40°C至+150°C环境工作温度范围）
- 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级3A
- 器件充电器件模型 (CDM) ESD分类等级C6
- 功能安全质量管理型
- 可提供帮助进行功能安全系统设计的文档
- 高达2121Vpk 的SiC MOSFET和IGBT
- 最大输出驱动电压（VDD-VEE）：33V
- ±10A驱动强度和分割输出
- 最低CMTI：150V/ns
- 270ns响应时间快速过流保护
- 4A内部有源米勒钳位
- 故障条件下400mA软关断
- 具有PWM输出的隔离式模拟传感器，用于：
- 使用NTC、PTC或热敏二极管进行温度检测
- 高压直流链路或相位电压
- 过流报警FLT和RST/EN复位
- 使用RST/EN禁用器件触发软关断
- 抑制输入引脚上 < 40ns的瞬态噪声和脉冲
- RDY上的12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
- 输入/输出可耐受高达5 V的过冲/欠冲瞬态电压
- 130 ns（最大值）传播延迟和30 ns（最大值）脉冲/零件偏移
- SOIC-16 DW封装，爬电距离和间隙>8mm
- 工作结温范围：–40°C至150°C
应用
- 电动汽车牵引逆变器
- 车载充电器和充电桩
- HEV/EV用直流/直流转换器
功能框图
开发工具
Texas Instruments UCC21710QDWEVM-025评估板
紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板，用于SiC MOSFET和Si IGBT电源模块。
发布日期: 2023-08-28
| 更新日期: 2025-03-06