Texas Instruments UCC21738-Q1隔离式单通道栅极驱动器

Texas Instrument UCC21738-Q1隔离式单通道栅极驱动器专门设计用于直流工作电压高达2121V的IGBT和SiC MOSFET。这些器件具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。该器件具有高达±10A峰值拉电流和灌电流。采用SiO2 电容隔离技术,输入侧与输出侧隔离。该特性支持高达1.5kVRMS 工作电压和12.8kVPK 浪涌抗扰度,隔离栅寿命超过40年。并提供较低的器件间偏移,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于150V/ns。

Texas Instruments UCC21738-Q1包括最先进的保护功能,例如短路检测和快速过流、故障报告、分流电流感应支持、有源米勒钳位、输出和输入侧电源 UVLO,以优化IGBT和SiC开关稳健性和行为。ASC功能可用于在系统故障事件期间强制打开电源开关。此功能进一步提高了驱动器的多功能性,并简化了系统设计尺寸、工作量和成本。

特性

  • 5.7kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 下列性能符合AEC-Q100标准:
    • 器件温度等级1(-40°C至+125°C环境工作温度范围)
    • 器件HBM ESD分类等级3A
    • 器件充电器件模型 (CDM) ESD分类等级C6
  • 功能安全质量管理型
    • 可提供帮助进行功能安全系统设计的文档
  • 高达2121Vpk 的SiC MOSFET和IGBT
  • 最大输出驱动电压(VDD-VEE):33V
  • ±10A驱动强度和分割输出
  • 最低CMTI:150V/ns
  • 270ns响应时间快速过流保护
  • 外部有源米勒钳位
  • 发生故障时软关断:900mA
  • 隔离侧的ASC输入可在系统出现故障时打开电源开关
  • 过流报警FLT和RST/EN复位
  • 在RST/EN上快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上<40ns的瞬态噪声和脉冲
  • 12V VDD UVLO,RDY电源良好
  • 输入/输出可耐受高达5 V的过冲/欠冲瞬态电压
  • 130 ns(最大值)传播延迟和30 ns(最大值)脉冲/零件偏移
  • SOIC-16 DW封装,爬电距离和电气间隙大于8mm
  • 工作结温: -40°C至150°C

应用

  • 电动汽车牵引逆变器
  • 车载充电器和充电桩
  • HEV/EV用直流-直流转换器

引脚配置

原理图 - Texas Instruments UCC21738-Q1隔离式单通道栅极驱动器
发布日期: 2024-01-29 | 更新日期: 2025-03-06