Texas Instruments UCC21750/UCC21750-Q1单通道栅极驱动器
Texas Instruments UCC21750/UCC21750-Q1单通道栅极驱动器是一款电流隔离式栅极驱动器，设计用于SiC MOSFET和IGBT，工作电压高达2121V DC，具有先进的保护特性。它具有同类最佳的动态性能和可靠性。UCC21750/UCC21750-Q1具有高达±10A的峰值拉电流和灌电流。输入侧通过SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达1.5kVRMS 的工作电压和12.8kVPK 的浪涌抗扰度。其隔离栅寿命超过40年，提供较低的器件间偏移，共模噪声抑制能力（CMTI）>150V/ns。
UCC21750/UCC21750-Q1包含先进的保护功能，如快速过流与短路检测、分流电流检测支持和故障报告。此外，还包括有源米勒钳位以及输入和输出侧电源UVLO（用于优化SiC和IGBT开关行为和稳健性）。可以利用隔离式模拟至PWM传感器更轻松地感测温度或电压，从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。Texas Instruments UCC21750-Q1器件符合AEC-Q100标准，适用于汽车应用。
特性
- 5.7kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
- 高达2121Vpk 的SiC MOSFET和IGBT
- 33V最大输出驱动电压（VDD– VEE）
- ±10A驱动强度和分离输出
- 最低CMTI：150V/ns
- 200ns响应时间快速DESAT保护
- 4A内部有源米勒钳位
- 发生故障时软关断：400mA
- 具有PWM输出的隔离式模拟传感器，用于：
- 使用NTC、PTC或热敏二极管进行温度检测
- 高压直流链路或相位电压
- 过流报警FLT和RST/EN复位
- 在RST/EN上快速启用/禁用响应
- 抑制输入引脚上的<40ns噪声瞬态和脉冲
- RDY上的12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
- 输入/输出可耐受高达5 V的过冲/欠冲瞬态电压
- 130 ns（最大值）传播延迟和30 ns（最大值）脉冲/零件偏移
- SOIC-16 DW封装，爬电和间隙距离>8mm
- 工作结温范围：-40°C至150°C
应用
- 工业电机驱动器
- 服务器、电信和工业电源
- 不间断电源 (UPS)
- 太阳能逆变器
功能框图
相关开发工具
Texas Instruments UCC21750QDWEVM-025评估板
紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板，用于SiC MOSFET和Si IGBT电源模块。
发布日期: 2020-01-08
| 更新日期: 2025-06-06