Toshiba 650V与1200V第三代碳化硅MOSFET
Toshiba 650V和1200V第三代碳化矽MOSFET 设计用于高功率工业应用，如400V和800VAC输入AC-DC电源、光伏（PV）逆变器和不间断电源（UPS）的双向直流-直流转换器。 由于采用SiC技术，这些Toshiba MOSFET在显著降低功耗和提高功率密度方面做出了重要贡献。这项技术允许使用更高的电压、更快的开关速度和更低的导通电阻。该设计除了具有低输入电容、公共栅极输入充电/电荷和低至15mΩ的漏源导通电阻之外，还具有更强的可靠性。
特性
- 低VF
- 内置SCHOTTKY势垒二极管技术，具有超低VF
- 高可靠性电池设计
- 低RON、RON QGD
- 从第二代到第三代，RON QGD降低了80%
- 极具竞争力的RON QGD与开关性能
- 更宽的VGSS额定值范围
- 宽广的VGSS额定值范围不仅有助于提高设计可靠性，还能让设计过程更为简化
- VGSS：-10V至25V（推荐值为18V）
- 低导通电阻和更高的栅极阈值电压 (Vth) 有助于防止意外导通等故障
应用
- 工业电机驱动器
- 电池充电器
- AC-DC和DC-DC转换器
- 功率因数校正电路
- 储能系统
- 太阳能
- 不间断电源
视频
性能图
封装和内部电路
封装尺寸
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Toshiba 650V与1200V第三代碳化硅MOSFET
设计用于400V和800V AC输入AC-DC电源等高功率工业应用。
发布日期: 2022-07-05
| 更新日期: 2024-05-01