碳化硅MOSFET

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650V与1200V第三代碳化硅MOSFET

Toshiba 650V和1200V第三代碳化矽MOSFET 设计用于高功率工业应用，如400V和800VAC输入AC-DC电源、光伏（PV）逆变器和不间断电源（UPS）的双向直流-直流转换器。由于采用SiC技术，这些Toshiba MOSFET在显著降低功耗和提高功率密度方面做出了重要贡献。这项技术允许使用更高的电压、更快的开关速度和更低的导通电阻。该设计除了具有低输入电容、公共栅极输入充电/电荷和低至15mΩ的漏源导通电阻之外，还具有更强的可靠性。

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式
碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm TW015Z65C,S1F Toshiba 1: ¥142.4365 132库存量	制造商零件编号 TW015Z65C,S1F Mouser 零件编号 757-TW015Z65CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	132库存量	¥142.4365 ¥118.8647 ¥82.7951 ¥81.9702	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	100 A	15 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	128 nC		+ 175 C	342 W	Enhancement
碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW031V65C,LQ Toshiba 1: ¥96.1969 2,500库存量新产品	制造商零件编号 TW031V65C,LQ Mouser 零件编号 757-TW031V65CLQ 新产品	Toshiba	碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	2,500库存量	剪切带 ¥96.1969 ¥71.303 卷轴 ¥71.303	最低： 1 倍数： 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	53 A	45 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	65 nC		+ 175 C	156 W	Enhancement
碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW054V65C,LQ Toshiba 1: ¥75.1902 2,480库存量新产品	制造商零件编号 TW054V65C,LQ Mouser 零件编号 757-TW054V65CLQ 新产品	Toshiba	碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	2,480库存量	剪切带 ¥75.1902 ¥51.6184 卷轴 ¥51.6184	最低： 1 倍数： 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	36 A	81 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	41 nC		+ 175 C	132 W	Enhancement
碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW092V65C,LQ Toshiba 1: ¥62.4551 2,493库存量新产品	制造商零件编号 TW092V65C,LQ Mouser 零件编号 757-TW092V65CLQ 新产品	Toshiba	碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	2,493库存量	剪切带 ¥62.4551 ¥42.1829 ¥40.2845 卷轴 ¥40.2845	最低： 1 倍数： 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	27 A	136 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	28 nC		+ 175 C	111 W	Enhancement
碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW123V65C,LQ Toshiba 1: ¥49.5505 2,500库存量新产品	制造商零件编号 TW123V65C,LQ Mouser 零件编号 757-TW123V65CLQ 新产品	Toshiba	碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	2,500库存量	剪切带 ¥49.5505 ¥29.6173 卷轴 ¥29.6173	最低： 1 倍数： 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	18 A	183 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	21 nC		+ 175 C	76 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm TW030Z120C,S1F Toshiba 1: ¥100.005 27库存量	制造商零件编号 TW030Z120C,S1F Mouser 零件编号 757-TW030Z120CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	27库存量	¥100.005 ¥75.0207	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	60 A	30 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	82 nC		+ 175 C	249 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm TW060Z120C,S1F Toshiba 1: ¥87.0213 31库存量	制造商零件编号 TW060Z120C,S1F Mouser 零件编号 757-TW060Z120CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	31库存量	¥87.0213 ¥65.7547 ¥62.5342	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	60 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	46 nC		+ 175 C	170 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm TW140Z120C,S1F Toshiba 1: ¥76.1846 61库存量	制造商零件编号 TW140Z120C,S1F Mouser 零件编号 757-TW140Z120CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	61库存量	¥76.1846 ¥52.1156	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	20 A	140 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	24 nC		+ 175 C	107 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm TW045Z120C,S1F Toshiba 1: ¥93.5527 14库存量 30预期 2026/12/4	制造商零件编号 TW045Z120C,S1F Mouser 零件编号 757-TW045Z120CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	14库存量 30预期 2026/12/4	¥93.5527 ¥68.817	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	45 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	57 nC		+ 175 C	182 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm TW015N120C,S1F Toshiba 1: ¥267.7535 28库存量	制造商零件编号 TW015N120C,S1F Mouser 零件编号 757-TW015N120CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	28库存量	¥267.7535 ¥194.2131 ¥150.3804 ¥147.6458 报价报价	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	100 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	158 nC	- 55 C	+ 175 C	431 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm TW015N65C,S1F Toshiba 1: ¥142.4365 41库存量	制造商零件编号 TW015N65C,S1F Mouser 零件编号 757-TW015N65CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	41库存量	¥142.4365 ¥118.8647 ¥81.9702	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	100 A	21 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	128 nC	- 55 C	+ 175 C	342 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm TW015Z120C,S1F Toshiba 1: ¥164.3585 12库存量 60预期 2026/10/16	制造商零件编号 TW015Z120C,S1F Mouser 零件编号 757-TW015Z120CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	12库存量 60预期 2026/10/16	¥164.3585 ¥140.8658	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	15 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	158 nC		+ 175 C	431 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm TW027N65C,S1F Toshiba 1: ¥85.4506 2库存量	制造商零件编号 TW027N65C,S1F Mouser 零件编号 757-TW027N65CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	2库存量	¥85.4506 ¥66.9186 ¥58.5679	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	58 A	37 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	65 nC	- 55 C	+ 175 C	156 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm TW030N120C,S1F Toshiba 1: ¥104.5476 67库存量	制造商零件编号 TW030N120C,S1F Mouser 零件编号 757-TW030N120CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	67库存量	¥104.5476 ¥59.7996 ¥55.4152 ¥51.7766	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV		40 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	249 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm TW045N120C,S1F Toshiba 1: ¥112.3333 92库存量	制造商零件编号 TW045N120C,S1F Mouser 零件编号 757-TW045N120CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	92库存量	¥112.3333 ¥68.817	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	182 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm TW048Z65C,S1F Toshiba 1: ¥66.4214 32库存量	制造商零件编号 TW048Z65C,S1F Mouser 零件编号 757-TW048Z65CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	32库存量	¥66.4214 ¥43.7536	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	40 A	48 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	41 nC		+ 175 C	132 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm TW060N120C,S1F Toshiba 1: ¥87.0213 189库存量	制造商零件编号 TW060N120C,S1F Mouser 零件编号 757-TW060N120CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	189库存量	¥87.0213 ¥68.3198 ¥62.5342	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	170 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm TW083N65C,S1F Toshiba 1: ¥63.8563 15库存量	制造商零件编号 TW083N65C,S1F Mouser 零件编号 757-TW083N65CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	15库存量	¥63.8563 ¥37.3917 ¥30.1936 ¥27.7076 ¥26.3064	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	145 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	76 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm TW083Z65C,S1F Toshiba 1: ¥60.3872 25库存量	制造商零件编号 TW083Z65C,S1F Mouser 零件编号 757-TW083Z65CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	25库存量	¥60.3872 ¥38.5443	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	30 A	83 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	28 nC		+ 175 C	111 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm TW107N65C,S1F Toshiba 1: ¥62.037 19库存量	制造商零件编号 TW107N65C,S1F Mouser 零件编号 757-TW107N65CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	19库存量	¥62.037 ¥32.3406 ¥30.849	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	113 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	111 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm TW107Z65C,S1F Toshiba 1: ¥51.1212 40库存量	制造商零件编号 TW107Z65C,S1F Mouser 零件编号 757-TW107Z65CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	40库存量	¥51.1212 ¥34.7362 ¥30.849	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	20 A	107 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	21 nC		+ 175 C	76 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm TW140N120C,S1F Toshiba 1: ¥75.6874 210预期 2027/1/15	制造商零件编号 TW140N120C,S1F Mouser 零件编号 757-TW140N120CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	210预期 2027/1/15	¥75.6874 ¥40.5331 ¥37.3013	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	20 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm TW027Z65C,S1F Toshiba 1: ¥85.2811 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 TW027Z65C,S1F Mouser 零件编号 757-TW027Z65CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	无库存交货期 24 周	¥85.2811 ¥60.2968 ¥50.2059 ¥44.748 ¥41.8552	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	58 A	27 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	65 nC		+ 175 C	156 W	Enhancement
碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm TW048N65C,S1F Toshiba 1: ¥66.5005 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 TW048N65C,S1F Mouser 零件编号 757-TW048N65CS1F	Toshiba	碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm 了解更多关于Toshiba 3 gen sic mosfets 的信息	数据表	无库存交货期 24 周	¥66.5005 ¥46.8159 ¥37.8889 ¥33.6627 ¥29.7755	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	40 A	65 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	132 W	Enhancement

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