650V与1200V第三代碳化硅MOSFET

Toshiba 650V和1200V第三代碳化矽MOSFET 设计用于高功率工业应用,如400V和800VAC输入AC-DC电源、光伏(PV)逆变器和不间断电源(UPS)的双向直流-直流转换器。 由于采用SiC技术,这些Toshiba MOSFET在显著降低功耗和提高功率密度方面做出了重要贡献。这项技术允许使用更高的电压、更快的开关速度和更低的导通电阻。该设计除了具有低输入电容、公共栅极输入充电/电荷和低至15mΩ的漏源导通电阻之外,还具有更强的可靠性。

结果: 24
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
Toshiba 碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,500库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,480库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,493库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. 2,500库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm 31库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm 49库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm 142库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm 67库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm 35库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm 111库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm 50库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm 52库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm 202库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm 36库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm 61库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm 30库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm 4库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm 15库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm 25库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm 40库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
20预期 2026/6/26
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
176预期 2026/7/17
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm 无库存
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm 无库存交货期 27 周
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement