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Toshiba TCK42xG过压保护栅极驱动器IC

Toshiba TCK42xG过压保护栅极驱动器IC是设计用于外部N沟道MOSFET的栅极驱动器。这些器件支持工作在2.7V至28.0V宽电压线路下的MOSFET，具有各种过压闭锁系列。这些器件具有小于1µA的低待机电流、内置电荷泵电路和MOSFET栅极-源极保护电路。TCK42xG栅极驱动器适合用于移动、可穿戴系统和电源管理电路，例如负载开关应用。Toshiba TCK42xG过压保护栅极驱动器采用小型薄型WCSP6G封装，非常适合用于空间受限的应用。

特性

  • 用于N沟道共漏极MOSFET的栅极驱动器
  • 用于N沟道单通道高侧MOSFET的栅极驱动器
  • 高最大输入电压：VIN max = 40V
  • 宽工作输入电压：VIN = 2.7V至28.0V
  • 过压闭锁：VIN_OVLO = 23.26V（典型值）
  • 欠压闭锁：VIN_UVLO = 2.0V（典型值）
  • 栅极-源极保护电路
  • 内置电荷泵电路（典型栅极源极电压VGS = 10V）
  • 低待机电流：IQ(OFF) = 最大0.9µA（VIN = 12V时）
  • 工作温度范围：-40°C至+85°C
  • 1.2mm x 0.8mm x 0.35mm WCSP6G封装
  • 重量：0.61mg

视频

框图

Toshiba TCK42xG过压保护栅极驱动器IC

封装外形

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发布日期: 2022-01-05 | 更新日期: 2023-01-23