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Toshiba TK16x60W Si N沟道MOSFET (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N沟道MOSFET (DTMOSIV) 采用DTMOSIV代芯片设计，有各种型号可供选择。Si N沟道MOSFET具有低漏源导通电阻和快速反向恢复能力。这些MOSFET可轻松控制栅极开关。TK16x60W MOSFET有各种尺寸可选，采用DFN8x8、TO-247、TO-3P(N)、D2PAK、TO-220和TO-220SIS不同封装。这些 TK16x60W Si N沟道MOSFET用于开关稳压器。

特性

  • 低漏极-源极导通电阻RDS(ON)  ：0.16Ω至0.196Ω
  • 易于控制的栅极开关
  • 增强模式Vth ：2.7V至4.5V

应用笔记

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物料编号 数据表 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷
TK16G60W5,RVQ TK16G60W5,RVQ 数据表 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC
TK16V60W5,LVQ TK16V60W5,LVQ 数据表 245 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC
TK16A60W,S4VX TK16A60W,S4VX 数据表
TK16E60W,S1VX TK16E60W,S1VX 数据表 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC
TK16J60W5,S1VQ TK16J60W5,S1VQ 数据表 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC
TK16J60W,S1VE TK16J60W,S1VE 数据表 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC
TK16N60W,S1VF TK16N60W,S1VF 数据表 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC
TK16G60W,RVQ TK16G60W,RVQ 数据表 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC
TK16A60W5,S4VX TK16A60W5,S4VX 数据表 190 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC
TK16J60W,S1VQ TK16J60W,S1VQ 数据表 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC
发布日期: 2020-04-06 | 更新日期: 2024-11-11