TK16x60W Si N沟道MOSFET (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N沟道MOSFET (DTMOSIV) 采用DTMOSIV代芯片设计,有各种型号可供选择。Si N沟道MOSFET具有低漏源导通电阻和快速反向恢复能力。这些MOSFET可轻松控制栅极开关。TK16x60W MOSFET有各种尺寸可选,采用DFN8x8、TO-247、TO-3P(N)、D2PAK、TO-220和TO-220SIS不同封装。这些 TK16x60W Si N沟道MOSFET用于开关稳压器。

结果: 11
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ 966库存量
剪切带
¥34.9848
¥17.8653
¥16.2155
¥13.8086
卷轴
¥12.7351
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8x8-OS PD=139W F=1MHZ 2,487库存量
剪切带
¥35.6515
¥18.6111
卷轴
¥13.0741
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 245 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC 226库存量
250预期 2027/2/19
¥35.9792
¥18.7806
¥17.3681
¥13.3227
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC 57库存量
¥28.8715
¥14.4753
¥14.2267
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS 73库存量
¥53.0987
¥30.9394
¥28.0353
¥25.312
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS 74库存量
¥53.3473
¥34.9057
¥25.7301
¥22.826
¥20.2609
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF 5库存量
¥38.5443
¥21.0971
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
999预期 2027/3/15
剪切带
¥38.2166
¥19.8541
¥17.9444
¥15.2211
卷轴
¥14.3058
¥13.4809
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
348在途量
¥34.6571
¥17.6958
¥17.1195
¥12.9046
¥12.5769
最低: 1
倍数: 1
Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC 无库存
¥53.0196
¥34.7362
¥25.5606
¥22.6678
¥20.1818
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A 无库存交货期 16 周
卷轴
¥11.2548
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel