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Toshiba
UMOS 11低压MOSFET - Toshiba
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Toshiba UMOS 11低压MOSFET
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Toshiba UMOS 11低压MOSFET专为在紧凑封装中实现高能效和可靠开关性能而开发。UMOS 11系列具有低R
DS(on)
、Q
oss
和Q
rr
,且整体开关性能优异,因此非常适合DC-DC转换器和电机驱动器、服务器电源及其他开关电源等广泛的应用。
特性
该系列最低导通电阻为0.52mΩ(最大值)(V
GS
=10V)
低R
DS(ON)
×Q
OSS
及低R
DS(ON)
×Q
RR
在开关电源中具有高效率
阈值电压小,运行可靠
内置高速二极管,可降低反向恢复损耗
最高工作温度可达175°C
应用
开关电源(数据中心服务器、通信设备等)
电机控制
负载开关
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发布日期: 2025-10-08 | 更新日期: 2026-08-20