Vishay / Barry Industries ATC 3面环绕芯片衰减器
Vishay/Barry Industries ATC 3面环绕芯片衰减器具有DC至5GHz稳定衰减性能，0至30dB衰减值，以及5W至30W额定功率。这些衰减器采用槽型绕线，有2010和2525尺寸可供选择。提供三种基板选项：氧化铝、AlN或BeO。多种基板选项可确保满足不同的电源要求。提供各种端子金属化选项，以满足不同的应用要求。Vishay/Barry Industries ATC衰减器适合用于军事和航空航天雷达、无线电通信、基站和卫星通信系统。
特性
- 终端材料：银底镍镀雾锡
- 可焊料安装
- 坚固的厚膜工艺结构
- 符合 RoHS 标准
应用
- 航空航天和军用雷达
- 航空航天和军用无线电通信系统
- 航空航天和军用电子对抗系统
- 卫星通信系统
- 基站
- 测试与测量
规范
- 封装尺寸：2010、2525
- 衰减范围：0至30dB
- 功率范围：5WW至30WW
- Al2O3（氧化铝）、AlN和BeO底层选项
- 工作频率范围：DC至5GHz
- 温度范围：-55 °C至+155 °C
- 3面环绕槽型终端
降额曲线
电路图
配置
外形尺寸
其他资源
发布日期: 2022-09-26
| 更新日期: 2024-12-31