Vishay / Barry Industries RS片式电阻器

Vishay/Barry Industries RS片式电阻器采用基于AI2O3 或BeO材料的厚膜结构,额定功率范围为1mW至1.5W。这些电阻器采用单面(倒装芯片)端子配置,设有焊料、环氧树脂或引线接合端子。RS电阻器采用小型封装设计,适合用于空间受限的应用和环境。Vishay/Barry Industries RS片式电阻器符合RoHS指令,具有-55°C至+150°C的宽工作温度范围。

特性

  • 单面(倒装芯片)端子配置
  • 焊料、环氧树脂或引线接合式端子
  • 小封装尺寸

规范

  • 采用AI2O3 或BeO材料的厚膜结构
  • 额定功率范围:1mW至1.5W
  • 电阻范围:0.5 Ω至1KΩ
  • 工作温度范围:-55 °C至+150 °C
  • 符合 RoHS 标准

功率降额曲线

性能图表 - Vishay / Barry Industries RS片式电阻器
发布日期: 2025-02-10 | 更新日期: 2025-03-24