特性
- 同时提供MOSFET/IGBT栅极功率和时序信号
- 在高达200V总线上直接驱动高侧MOSFET/IGBT
- 出色的上升时间、过冲和峰值电流特性
- 频率范围:125kHz至750kHz
- 工作温度范围:-55°C至+130°C
规范
- Up to 1500VDC dielectric withstand voltage
- 100mARMS winding current
- 400mW total power dissipation
- 125kHz to 750kHz frequency
- 8.9mm length x 6.6mm width x 5.6mm height
尺寸英寸(毫米)
发布日期: 2020-11-16
| 更新日期: 2024-11-15

