Vishay / Siliconix DG2519E高带宽双通道SPDT模拟开关

Vishay/SiliconGuard DG2519E高带宽双通道单刀双掷(SPDT)模拟开关是单片CMOS SPDT模拟开关,专门设计用于低电压、高带宽应用。DG2519E可在整个模拟电压范围内保证导通电阻、匹配和平坦度。在-61dB(典型值)时可实现宽动态性能,用于1MHz时串扰和关断隔离。SPDT采用独立控制逻辑工作,在两个方向的导电性能相同,并且在断开时阻断高达电源电平的信号。保证先断后合。DG2519E器件具有快速开关速度、低导通电阻、高带宽和低电荷注入等特性,非常适用于具有高线性度的音频和视频开关。DG2519E基于Vishay/Siliconix的低压CMOS技术,包含一个可防止锁闭的外延层。

特性

  • 较低功耗
  • 高精度
  • 减少电路板空间
  • 低压逻辑兼容
  • 高带宽
  • 单电源(1.8V到5.5V)
  • 低导通电阻(RON):2.5Ω
  • -61dB串扰和关断隔离(1MHz时)
  • MSOP-10和DFN-10封装选项
  • 无铅、无卤、符合RoHS指令

应用

  • 手机
  • 扬声器耳机开关
  • 音频和视频信号路由
  • PCMCIA 卡
  • 低压数据采集
  • 自动测试设备 (ATE)

规范

  • 最大连续电流:±50mA(任何端子)
  • 最大峰值电流:±200mA(1ms时脉冲,10%占空比)
  • 最大功率耗散
    • 320mW(MSOP-10)
    • 1191mW(DFN-10)
  • 最大闭锁:300mA
  • 电源电压范围:2.7 V至3.3 V
  • 最大电源电流:1μA
  • 最大ESD额定值
    • 7.5 kV人体模型 (HBM)
    • 1.5kV充电设备模型(CDM)
  • 工作温度范围:-40 °C至+85 °C

框图/引脚配置

框图 - Vishay / Siliconix DG2519E高带宽双通道SPDT模拟开关
发布日期: 2024-11-22 | 更新日期: 2024-12-20