Vishay / Siliconix DG2519E高带宽双通道SPDT模拟开关
Vishay/SiliconGuard DG2519E高带宽双通道单刀双掷(SPDT)模拟开关是单片CMOS SPDT模拟开关,专门设计用于低电压、高带宽应用。DG2519E可在整个模拟电压范围内保证导通电阻、匹配和平坦度。在-61dB(典型值)时可实现宽动态性能,用于1MHz时串扰和关断隔离。SPDT采用独立控制逻辑工作,在两个方向的导电性能相同,并且在断开时阻断高达电源电平的信号。保证先断后合。DG2519E器件具有快速开关速度、低导通电阻、高带宽和低电荷注入等特性,非常适用于具有高线性度的音频和视频开关。DG2519E基于Vishay/Siliconix的低压CMOS技术,包含一个可防止锁闭的外延层。特性
- 较低功耗
- 高精度
- 减少电路板空间
- 低压逻辑兼容
- 高带宽
- 单电源(1.8V到5.5V)
- 低导通电阻(RON):2.5Ω
- -61dB串扰和关断隔离(1MHz时)
- MSOP-10和DFN-10封装选项
- 无铅、无卤、符合RoHS指令
应用
- 手机
- 扬声器耳机开关
- 音频和视频信号路由
- PCMCIA 卡
- 低压数据采集
- 自动测试设备 (ATE)
规范
- 最大连续电流:±50mA(任何端子)
- 最大峰值电流:±200mA(1ms时脉冲,10%占空比)
- 最大功率耗散
- 320mW(MSOP-10)
- 1191mW(DFN-10)
- 最大闭锁:300mA
- 电源电压范围:2.7 V至3.3 V
- 最大电源电流:1μA
- 最大ESD额定值
- 7.5 kV人体模型 (HBM)
- 1.5kV充电设备模型(CDM)
- 工作温度范围:-40 °C至+85 °C
框图/引脚配置
发布日期: 2024-11-22
| 更新日期: 2024-12-20
