Vishay EFUSE-800V40ABI eFuse参考设计
Vishay EFUSE-800V40ABI双向电子熔断器参考设计可处理高达950V电压和40A电流额定值，并完全配备所有必需的反馈信号。该平台通过防止电压尖峰、过电流和温度上升，从而提高了车辆的整体安全性。其特点包括用于精确电流测量的低TCR分流器、低跟踪误差 分压器以及提供ESD保护和续流能力的强大I/O端口。Vishay EFUSE-800V40ABI双向eFuse参考设计基于Vishay SiC MOSFET。
特性
- 低TCR分流，用于精确的电流测量
- 提供ESD保护和续流能力的强大I/O端口
- 快速切换速度
- 低跟踪误差分压器
规范
- 最高电压额定值950V
- 电流额定值：40A
- 工作温度范围：-40 °C至+125 °C
- 最大功耗：1500mW
- 最大电流消耗：300 mA
- 隔离电压：5kVRMS
系统方框图
关键组件
Vishay / Beyschlag CMA 0204碳薄膜MELF电阻器
该器件的标称电阻范围为10Ω~100kΩ，额定耗散为0.4W，阻值容差为±2%。
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发布日期: 2026-02-23
| 更新日期: 2026-03-20