Vishay Semiconductors 半桥IGBT
Vishay 半导体半桥IGBT采用沟槽IGBT技术，额定电流为100A、150A和200A。这些IGBT具有低传导损耗、低结到壳热减少，可直接安装到散热器设计。半桥IGBT提供第4代FRED Pt®反并联二极管，具有超软反向恢复特性。Vishay Semiconductors半桥IGBT优化用于大电流逆变器层级，如AC TIG焊机。
特性
- 沟槽式IGBT技术
- Gen 4 FRED Pt反并联二极管
- 低开关损耗
- Al2O3 DBC
- 获得UL E78996认证
- 工业级设计
应用说明
发布日期: 2023-06-30
| 更新日期: 2023-07-21