Vishay IRL功率MOSFET

Vishay IRL功率MOSFET在快速开关、坚固设计、低导通电阻和高性价比之间实现了最佳平衡。Vishay IRL MOSFET采用SOT-223和DPAK封装。这些MOSFET支持采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装。SOT-223封装具有扩展片,可提高散热性能,可实现超过1.25W的功耗,而DPAK封装则可在典型应用中实现高达1.5W的功率耗散。IRLU和SiHLU系列还为通孔安装提供直引线选项。

特性

  • 动态dv/dt额定值
  • 重复雪崩级
  • 表面贴装(IRLR110、SiHLR110)
  • 直线引线(IRLU110、SiHLU110)
  • 提供卷带封装
  • 逻辑电平栅极驱动器
  • VGS = 4V和5V时指定RDS(on)
  • 高压隔离 = 2.5kVRMS(T = 60s;f = 60Hz)

应用

  • 采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装应用
  • 大功率耗散应用(SOT-223大于1.25W,DPAK高达1.5W)
  • 通孔安装应用(使用IRLU和SiHLU系列)
  • 需要快速开关和低导通电阻的坚固电子设计
  • 需要增强散热性能的热管理密集型应用

测试电路

Vishay IRL功率MOSFET
发布日期: 2024-11-26 | 更新日期: 2025-02-21