Vishay 军用M/D55342厚膜和薄膜电阻器
Vishay军用M/D55342厚膜和薄膜电阻器按照MIL-PRF-55342详细规格设计和制造。该系列包括E/H、E/H（T级）和RCWPM系列。E/H系列均采用薄膜电阻器，具有所有喷雾线绕端子，可实现尺寸均匀性和出色的粘附性。E/H（T级）电阻器还符合空间要求，符合ASTM-E595的逸气性要求。RCWPM系列采用无卤素厚膜电阻器，在镍阻挡层上缠绕锡/铅。Vishay军用M/D55342厚膜和薄膜电阻器在多个级别提供稳固的可靠性，包括M、P、R、U、S、V和T。
特性
- E/H（军用M/D55342）
- 薄膜电阻器
- 高可靠性，S和V故障率 (10ppm), C=2
- 高纯度氧化铝基板
- 绕线端接采用柔性粘合层，采用电镀镍阻挡层，适用于+150°C工作条件
- 低噪声和电压系数<-25db，0.5ppm>
- 无感式
- 激光微调容差：±0.1%
- 绕线电阻：<>
- 批量跟踪小于5ppm/°C
- 内部提供完整的军用测试
- 可提供防静电叠片包装或卷带封装
- 军事/航空航天/QPL
- E/H（T级，军用M/D55342）
- 薄膜电阻器，符合T级（空间）标准
- 符合ASTM-E595的逸气性要求
- TCR高达±25ppm/°C
- 公差：±0.1%
- 100%功率调节
- RCWPM（军用M/D55342）
- 厚膜电阻器
- 完全符合MIL-PRF-55342的要求
- 稳固的可靠性－经过验证的故障率；M、P、R、U、S、V和T级
- 结构在高硫环境下不受硫影响（ASTM B 809-95测试方法）
- 100% A组筛选，符合标MIL-PRF-55342准
- 端接类型B - 镍底镀锡/铅线绕
- 工作温度范围：-65°C至+150°C
降额曲线
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Vishay M/D55342军用厚膜片式电阻器
采用96%氧化铝基板，在镍阻挡层上缠绕锡/铅。
发布日期: 2024-06-10
| 更新日期: 2025-01-14