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Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET

Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET具有750V漏源电压、快速开关速度以及小于3μs的短路耐受时间。这些MOSFET还具有208W的最大功率耗散（Tc = 25°C）和51A的漏极连续电流（Tc = 25°C）。Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC 750V N沟道MOSFET不含卤素，并采用TO-247AD 4L封装。用户将这些MOSFET设计用于充电器、辅助电机驱动器和DC-DC转换器。

特性

  • 快速开关速度
  • 短路耐受时间：3μs
  • 漏极源极电压：750V
  • 最大功率耗散（TC = 25°C）：51A
  • 漏极连续电流为208W（TC = 25°C）
  • 工作结温范围：-55 °C至+175 °C
  • 无铅、无卤
  • 采用TO-247AD 4L封装
  • 符合 RoHS 标准

应用

  • 汽车板载充电器
  • 适用于EV/HEV的汽车DC-DC转换器
  • 主逆变器（电气牵引）
  • 太阳能逆变器
  • 直流-直流转换器
  • 储能系统
  • 不间断电源 (UPS)

引脚示意图

原理图 - Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
发布日期: 2026-06-03 | 更新日期: 2026-06-19