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Vishay Semiconductors SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET

Vishay Semiconductors SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET的漏源电压（VDS）为-40V、连续漏极电流（ID）为-50A（TC = 25°C或125°C时）。这款TrenchFET®功率MOSFET采用低热阻封装，符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准，且通过AEC-Q101认证。Vishay Semiconductors SQD50P04-09L具有低导通电阻，VGS = -10V、ID = -17A时RDS(on)最大值为0.0094Ω，VGS = -4.5V、ID = -14A时为0.019Ω。这些特点使该器件非常适合汽车、配电和工业功率控制应用。

特性

  • 无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
  • TrenchFET®功率MOSFET
  • 热阻低的封装
  • 100%经Rg和UIS测试
  • 符合RoHS指令2002/95/EC
  • 符合 AEC-Q101

应用

  • 汽车
  • 配电
  • 工业功率控制

规范

  • 漏源电压（VDS）：-40V
  • 栅源电压（VGS）：±20V
  • 连续漏极电流（ID）：-50A（TC = +25°C或+125°C时）
  • 脉冲漏极电流（IDM）：-200A
  • 最大功率耗散（PD）
    • TC = +25°C时：136W
    • TC = +125°C时：45W
  • 工作结温与存放温度范围（TJ、Tstg）：-55°C至+175°C
  • 栅源阈值电压（VGS(th)）：-1.5V（最小值）/-2.5V（最大值）（VDS = VGS、ID = -250μA）
  • 零栅压漏极电流（IDSS）
    • VGS = 0V、VDS = -40V时：-1μA
    • VGS = 0V、VDS = -40V、TJ = +125°C时：-50μA
    • VGS = 0V、VDS = -40V、TJ = +175°C时：-150μA
  • 漏源导通电阻（RDS(on)）
    • VGS = -10V、ID = -17A时：0.0076Ω（典型值）/0.0094Ω（最大值）
    • VGS = -10V、ID = -50A、TJ = +125°C时：0.014Ω（最大值）
    • VGS = -10V、ID = -50A、TJ = +175°C时：0.017Ω（最大值）
    • VGS = -4.5V、ID = -14A时：0.012Ω（典型值）/0.019Ω（最大值）
  • 输入电容（Ciss）：5339pF（典型值）/6675pF（最大值）（VGS = 0V、VDS = -20V、f = 1MHz时）
  • 输出电容（Coss）：852pF（典型值）/1065pF（最大值）（VGS = 0V、VDS = -20V、f = 1MHz）
  • 总栅极电荷（Qg）：103nC（典型值）/155nC（最大值）（VGS = -10V、VDS = -20V、ID = -50A）

电路图

原理图 - Vishay Semiconductors SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET
发布日期: 2026-09-10 | 更新日期: 2026-09-16