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威世硅尼克斯 Si1865DDL 带电平移位的负载开关

威世硅尼克斯 Si1865DDL 带电平移位的负载开关在单个 SC70-6 封装内包含了一个 p 和 n 沟道 MOSFET。低导通电阻 P 沟道 TrenchFET 经定制作为负载开关使用。N 沟道带外部电阻器，可用作电平移位器来驱动 P 沟道负载开关。N 沟道 MOSFET 带有 ESD 保护功能，可由低至 1.5V 的逻辑信号驱动。Si1865DDL 采用 1.8V 到 12V 供电线供电，可以高达 1.1A 电流驱动负载。