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Vishay / Siliconix Si6423ADQ P沟道20V MOSFET

Vishay/Siliconix Si6423ADQ P沟道20V MOSFET采用TSSOP-8封装，具有-20V漏源电压和20mJ单脉冲雪崩能量额定值。该MOSFET采用单一配置设计。它不含卤素，符合RoHS指令，100%通过Rg和UIS测试。Vishay Si6423ADQ P沟道20V MOSFET设计用于负载开关、电池开关和电源管理应用。

特性

  • TrenchFET®功率MOSFET
  • 100%通过Rg和UIS测试
  • 符合RoHS指令
  • 无卤
  • 单配置
  • TSSOP-8封装

应用

  • 负载开关
  • 电池开关
  • 电源管理

规范

  • 漏极-源极电压：-20VDS
  • 栅极-源极电压：±8V
  • 脉冲漏极电流：-70A
  • 单脉冲雪崩能量：-20mJ
  • 输入电容：5875pF
  • 输出电容：540pF
  • 最大栅极电阻：7.2Ω
  • 工作温度范围：-55°C至+150°C

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发布日期: 2020-11-19 | 更新日期: 2024-12-16