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Vishay / Siliconix SiEH4800EW 80 V TrenchFET®第四代N沟道MOSFET

Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N沟道MOSFET专为高效功率开关应用而设计。SiEH4800EW采用紧凑型PowerPAK® 8mmx8mm焊接式无线（BWL）封装，在10V VGS下具有0.00115Ω的超低导通电阻，从而可最大限度地减少传导损耗并改善散热性能。Vishay / Siliconix MOSFET的最大漏极连续电流为260A，栅极电荷为117nC，针对快速开关和高电流处理进行了优化，使其成为同步整流、电机驱动器和高性能DC-DC转换器的理想选择。坚固的设计和先进的沟槽技术确保在严苛环境中可靠运行。

特性

  • TrenchFET第四代功率MOSFET
  • 采用节省空间的PowerPAK 8mm x 8mm BWL封装，具有1mm超薄高度，可最大限度地降低寄生电感，同时最大程度地提高电流能力
  • 可湿性侧翼封装提高了可焊性，同时更容易目测检查焊点可靠性
  • 采用熔断式引线，增大源PAD可焊面积，使设计更加稳健
  • 最大RthJC低至0.36°C/W，提高了热性能
  • 导通电阻低至0.88mΩ（典型值，10V），最大限度地减少了由导通引起的功率损耗，从而提高了效率
  • 超低RDS x Qg品质因数(FOM)
  • 工作温度高达+175°C
  • 占位面积比D2PAK (TO-263)小50%
  • 经100% Rg和UIS测试
  • 完全无铅、无卤，符合RoHS指令

应用

  • 同步整流
  • OR-ing
  • 电机驱动控制
  • 电池管理

规范

  • 静态
    • 漏极-源极击穿电压：80V（最大值）
    • 栅极-源极阈值电压：2V至4V
    • 最大栅极-源极漏电流：±100nA
    • 正向跨导：150S（典型值）
  • 动态
    • 典型输入电容：29nF
    • 输出电容：1650pF（典型值）
    • 反向传输电容：42pF（典型值）
    • 栅极电阻范围：0.24Ω至2.4Ω
    • 最大接通延迟时间范围：45ns至60ns
    • 最大上升时间范围：30ns至50ns
    • 最大关断延迟时间范围：130ns至140ns
    • 40 ns下降时间
  • 漏极-源极二极管
    • 最大连续源极-漏极二极管电流：379A（TC = +25°C）
    • 最大脉冲二极管正向电流：700A
    • 最大体二极管电压：1.1V
    • 最大体二极管反向恢复时间：165ns
    • 最大体二极管反向恢复电荷：500nC
    • 反向恢复下降时间：60ns（典型值）
    • 反向恢复上升时间：23ns（典型值）
  • ±20V最大栅源电压
  • 最大漏极连续电流（TJ = +175°C）
    • 29A （TA = +70°C）至34A（TA = +25°C）
    • 319A（TC = +70°C）至381A（TC = +25°C）
  • 单脉冲雪崩
    • 87 A最大电流
    • 最大能量：380mJ
  • 最大功率耗散
    • 2.4W（TA = +70°C）至3.4W（TA = +25°C）
    • 292W（TC = +70°C）至417W（TC = +25°C）
  • 工作结温范围：-55 °C至+175 °C
  • 最高峰值焊接温度：+260°C
  • 最大热阻
    • 44°C/W结温到环境、稳态
    • 结-外壳（漏极）、稳态：0.36°/W

资源

发布日期: 2025-06-11 | 更新日期: 2025-06-16