特性
- QFN32 (5mm x 5mm) 封装
- 功率级输入高达24V
- 每通道持续电流:500mA
- 每通道峰值电流能力:2A
- 超过5MHz的高频运行
- 3.3V和5V PWM逻辑
- 低PWM传播延迟(典型值为13ns)
- 启用禁用时将输出置于高阻抗的功能
- 结温范围:-40 °C至+125 °C
应用
- 用于射频功率放大器(LDMOS、砷化镓FET、砷化镓HBT或氮化镓基)的包络跟踪 (ET) 电源
- 同步降压转换器
典型应用
发布日期: 2024-11-19
| 更新日期: 2025-07-01
