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Vishay SIR680LDP-T1-RE3 N沟道MOSFET

Vishay SIR680LDP-T1-RE3 N沟道MOSFET是一款80V (D-S) TrenchFET® Gen IV功率MOSFET。该N沟道MOSFET具有非常低的RDS - Qg品质因数 (FOM)，并经过调谐以实现最低RDS - Qoss FOM。典型应用包括同步整流、一次侧开关、直流/直流转换器、太阳能微逆变器、电机驱动开关、电池、负载开关和工业。

特性

  • TrenchFET® Gen IV功率MOSFET
  • 超低RDS - Qg FOM
  • 经过调谐，可实现最低RDS至Qoss FOM
  • 经100% Rg和UIS测试

应用

  • 同步整流
  • 一次侧开关
  • 直流/直流转换器
  • 微型太阳能逆变器
  • 电机驱动开关
  • 电池和负载开关
  • 工业

规范

  • VDS：80V
  • RDS(ON)：0.0028Ω（最大值，VGS=10V时） 
  • RDS(ON)：0.00355Ω（最大值，VGS=4.5V时）
  • Qg：40.5nC（典型值）
  • ID：130A
  • 工作温度范围：-55°C至150°C

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发布日期: 2020-12-17 | 更新日期: 2024-12-23