Vishay SISS7xDN TrenchFET MOSFET
Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET MOSFET是采用ThunderFET技术的TrenchFET® MOSFET，实现了RDS、QG、QSW和QOSS的完美平衡。这些MOSFET通过了100%的Rg和无钳位电感开关 (UIS) 测试。SISS7xDN TrenchFET MOSFET适用于一次侧开关、同步整流、直流/直流转换器、电机驱动控制及负载开关等应用。这些MOSFET采用PowerPAK 1212-8S封装。
应用
- 一次侧开关
- 同步整流
- 直流/直流转换器
- 电机驱动控制
- 负载开关
SISS7xDN TrenchFET MOSFET电路图
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 | Vds-漏源极击穿电压 | Id-连续漏极电流 | Qg-栅极电荷 | Rds On-漏源导通电阻 | 晶体管类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SISS70DN-T1-GE3 |  |
MOSFET 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | 125 V | 31 A | 15.3 nC | 29.8 mOhms | 1 N-Channel |
| SISS72DN-T1-GE3 | |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | 150 V | 25.5 A | 22 nC | 42 mOhms | 1 N-Channel |
发布日期: 2018-08-21
| 更新日期: 2023-03-06