Vishay / Siliconix SQJ211ELP汽车用P沟道100V MOSFET
Vishay/Siliconix SQJ211ELP紫车用P沟道100V MOSFET features -100VDS漏源电流，采用PowerPAK® SO-8L封装（带翼形引线）。该MOSFET在10V时的导通电阻低至30Ω，最高工作温度为+175°C。Vishay/Siliconix SQJ211ELP汽车用P沟道100V MOSFET符合AEC-Q101标准，100%通过Rg和UIS测试，符合RoHS指令，不含卤素。
特性
- TrenchFET®功率
- 符合AEC-Q101标准
- 100%通过Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令
- 导通电阻低至30Ω（10V时）
- 栅极电荷低至45nC（10V时）
- 翼形引线提高了板级可靠性
- PowerPAK SO-8L封装（带翼形引线）
- 无卤
- 不含铅
应用
- 反向极性保护
- 电池管理
- 高侧负载开关
- 汽车LED照明
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发布日期: 2020-11-19
| 更新日期: 2024-12-17