Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驱动器

Vishay Semiconductors   VOFD343A IGBT和MOSFET驱动器是采用加长SO-6封装的紧凑型高设计、快速开关IGBT和MOSFET驱动器。VOFD343A光耦合器具有4 A峰值最大输出电流、200 ns最大传播延迟、50 kV/μs噪声抑制能力、 和高达1140 V的高工作电压。输出级的高工作电压范围提供栅极控制器件所需的驱动电压。VOFD343A光耦合器非常适合用于直接驱动额定值高达1200V/100A的IGBT。典型应用包括太阳能逆变器、工业电机控制和不间断电源(UPS)。

特性

  • 峰值最大输出电流: 4 A
  • 25 mA 正向电流
  • 轨到轨输出级
  • 200 ns的最大传播延迟
  • 最大传播延迟差为 100 ns
  • 共模抑制比: 35kV/μs
  • 宽工作电压范围:15 V至30 V
  • 700mW输出功率耗散
  • 扩展温度范围:-40 °C至125 °C
  • 无铅,符合RoHS指令

应用

  • 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
  • 交流和无刷直流电机驱动器
  • 电磁炉
  • 工业逆变器
  • 不间断电源(UPS)

视频

应用实例

Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驱动器
发布日期: 2024-08-23 | 更新日期: 2025-03-10