Vishay Semiconductors 650V功率SiC合并PIN肖特基二极管

Vishay Semiconductors 650V功率SiC合并PIN肖特基二极管设计用于实现高性能,采用MPS结构,非常坚固耐用,可推进电流浪涌事件。这些二极管非常适用于高速硬开关和在宽温度范围内高效工作。VS-Cx肖特基二极管几乎没有恢复拖尾电流和开关损耗,开关行为不受温度影响。这些二极管提供不同额定电流供选择。典型应用包括FBPS和LLC转换器中的交流/直流功率因数校正(PFC)和直流/直流超高频输出整流。

特性

  • 在SiC宽带隙材料上采用肖特基技术的多数载波二极管
  • 正VF 温度系数,便于并联
  • 采用合并PIN MPS结构,非常坚固耐用,可推进电流浪涌事件
  • 提供不同额定电流供选择
  • 几乎没有恢复拖尾电流和开关损耗
  • 额定电流:4A至40A
  • 开关行为不受温度影响
  • 最高工作结温:175°C
  • 通过JESD 201 1A类晶须测试
  • 焊料槽温度:275°C(最大值)和10秒(符合JESD 22-B106标准)
  • 采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装
  • 无卤,符合RoHS标准

应用

  • 交流/直流功率因数校正(PFC)
  • FBPS和LLC转换器中的直流/直流超高频输出整流
  • 电信
  • UPS
  • 太阳能逆变器

信息图

Vishay Semiconductors 650V功率SiC合并PIN肖特基二极管

产品传单

Vishay Semiconductors 650V功率SiC合并PIN肖特基二极管
发布日期: 2020-08-19 | 更新日期: 2025-01-13