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Vishay Semiconductors VS-SCx0BA120 SiC单相桥式二极管

Vishay Semicductors  VS-SCx0BA120碳化硅 (SiC) 单相桥式肖特基二极管是高性能、1200V、坚固耐用的元件，适用于在各种应用中实现高效功率转换。该二极管采用碳化硅技术，具有出色的导热性和高电压能力。这些宽带隙肖特基二极管可在宽温度范围（-40°C 至+175°C）内实现高速硬开关和高效工作。典型应用包括FBPS和LLC转换器中的AC/DC PFC 和DC/DC超高频输出整流。Vishay Semicductors  VS-SCx0BA120碳化硅 (SiC) 单相桥式肖特基二极管推荐用于所有需要解决硅超快恢复行为的应用。

特性

  • 反向恢复过程几乎没有电流逐渐下降和开关损耗
  • 在碳化硅宽带隙材料上采用肖特基技术的多数载流子二极管
  • 通过薄晶片技术改进正向压降 (VF) 和效率
  • 高速开关、低开关损耗
  • 正温度系数，便于并联
  • 电隔离基板
  • 端子之间的爬电距离大
  • 简化机械设计，快速组装
  • 设计和认证用于工业应用
  • UL认可文件E78996
  • 无铅，符合RoHS指令

应用

  • 服务器
  • 太阳能逆变器
  • 电信
  • 不间断电源(UPS)

规范

  • 阴极至阳极击穿电压：1200V（最小值）
  • 典型正向电压范围：1.5V至2.48V
  • 反向漏电流范围：1.3μA至10.0μA（典型值）
  • 结电容选项：136pF或206pF
  • 最大直流输出电流选项：50A或90A
  • 最大峰值、单周期非重复正向电流范围：276A至524A
  • 每脚0.81V至0.88V或0.88V至1.01V阈值电压范围选项
  • 正向斜率电阻值：22.62mΩ至22.71mΩ或31.16mΩ至31.49mΩ
  • -40 °C至+175 °C结温范围
  • SOT-227外壳样式

数据手册

发布日期: 2024-10-31 | 更新日期: 2024-11-12