Vishay General Semiconductor VX60M100PW双TMBS整流器
Vishay VX60M100PW双沟槽式MOS势垒肖特基 (TMBS) 整流器具有100V最大反向重复峰值电压 (VRRM) 和2x30A最大平均正向整流电流额定值 (IF(AV))。这些器件使用Vishay的沟槽式MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗和高效率等特性。这些Vishay VX60M100PW器件均符合AEC-Q101标准。这些特性使得该器件非常适合用于高频直流/直流转换器、开关电源，续流二极管，OR-ing二极管及电池反接保护应用。
特性
- 沟槽式MOS肖特基技术
- 低正向电压降、低功率损耗
- 工作效率高
- 焊锡槽温度275°C（最大值，10s），符合JESD 22-B106标准
- 可提供符合AEC-Q101标准的版本
- 汽车订购编号：base P/NHM3
应用
- 高频直流/直流转换器
- 开关电源
- 续流二极管
- OR-ing二极管
- 商业、工业和汽车中的反向电池保护
规范
- TO-247AD 3L外壳
- 模压化合物符合UL 94 V-0阻燃等级
- Base P/N-M3 - 无卤素、符合RoHS指令
- Base P/NHM3 - 无卤素、符合RoHS指令和AEC-Q101标准
- 亚光镀锡引线，可按照J-STD-002和JESD 22-B102端子标准焊接
- 极性按标记所示
- 最大安装扭矩：10 in-lbs
发布日期: 2020-06-08
| 更新日期: 2025-01-08