Vishay Semiconductors LVE单相单直列桥式整流器

Vishay Semiconductors LVE单相单直列桥式整流器具有低正向压降,采用GSIB-5S封装。这些设备的峰值反向电压为600V或800V,额定平均正向电流 [IF(AV)] 为15A、25A、30A、35A、40A和50A。Vishay低VF单相单直列桥式整流器通用于开关电源、家用电器和白色家电应用中的AC-DC全波桥式整流,尤其适用于电信电源、高效台式电脑和服务器SMPS。

特性

  • UL认可文件编号E312394
  • 薄型单列直插式封装
  • 氧化物平面芯片结
  • 正向压降低
  • 较高的浪涌电流承受能力
  • 低噪声
  • 高外壳介电强度:2500VRMS(持续1分钟)
  • 浸焊最高温度+275°C,持续10s,符合JESD 22-B106标准

应用

  • 开关电源
  • 家用电器
  • 白色家电
  • 电信电源
  • 高效台式电脑
  • 服务器SMPS

规范

  • 反向电流 (IR)
    • LVE2580E:5 μA
    • LVE1560E、LVE2560E、LVE3060E、LVE3560E、LVE4060E、LVE5060E:10 μA
  • 正向电压 (VF)(IF = 7.5A、TA = +125°C时)
    • LVE1560E:0.71 V
    • LVE2560E:0.74 V
    • LVE3060E、LVE3560E、LVE4060E:0.75V
    • LVE5060E:0.77 V
    • LVE2580E:0.78 V
  • 最高TJ+150 °C
  • GSIB-5S 封装
  • 直列电路配置
  • 环氧树脂符合UL 94V-0可燃性等级标准
  • Base P/N-M3无卤素,符合RoHS标准,商用级
  • 端子为哑光锡镀铅,可根据J-STD-002和JESD 22-B102进行焊接
  • M3后缀设备通过JESD 201 1A类晶须测试
  • 极性标记在壳体上
  • 最大安装扭矩:10cm-kg (8.8in-lbs)
  • 推荐扭矩:5.7cm-kg (5in-lbs)

电路图

原理图 - Vishay Semiconductors LVE单相单直列桥式整流器

尺寸

机械图纸 - Vishay Semiconductors LVE单相单直列桥式整流器
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物料编号 数据表 If - 正向电流 峰值反向电压 最大浪涌电流
LVE2580E-M3/P LVE2580E-M3/P 数据表 12.5 A 800 V 350 A
LVE3060E-M3/P LVE3060E-M3/P 数据表 30 A 600 V 350 A
LVE5060E-M3/P LVE5060E-M3/P 数据表 50 A 600 V 600 A
LVE1560E-M3/P LVE1560E-M3/P 数据表 15 A 250 A
LVE2560E-M3/P LVE2560E-M3/P 数据表 25 A 360 A
LVE3560E-M3/P LVE3560E-M3/P 数据表 35 A 600 V 400 A
LVE4060E-M3/P LVE4060E-M3/P 数据表 40 A 600 V 550 A
发布日期: 2026-02-10 | 更新日期: 2026-02-16