Wolfspeed C4MV 650V分立式SiC MOSFET
Wolfspeed C4MV 650V分立式SiC MOSFET是第三代器件，可实现更小、更轻、更高效的电源转换，适用于更广泛的电源系统。C4MV 650V MOSFET系列非常适合高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、能量存储器、不间断电源和电池管理系统等应用。
特性
- 与行业兼容的15V至18V驱动电压范围
- 温度范围内的导通电阻低
- 低寄生电容
- 快速二极管，具有超低反向恢复
- 高工作温度（TJ = +175°C）
- Kelvin源引脚
- 小尺寸
- 低引线电感
- 低热阻抗
- 大功率耗散能力
- 通过降低开关和导通损耗，提高系统效率
- 达到工业级标准
- 高速开关，低电容
- 提高系统级功率密度
- 软体二极管，最大限度地减少电压过冲
- 减少系统尺寸、重量和冷却要求
- 可实现新兴硬开关拓扑（图腾柱PFC）
- 采用优化型行业标准托尔特顶侧冷却（TSC）封装，具有独立的驱动器源引脚
- 潮湿敏感度等级（MSL）为1级
- 无卤素及符合 符合RoHS标准
应用
- EV充电器
- 太阳能/能量存储器（ESS）
- 电机控制
- 工业电源
- 高压DC/DC转换器
资源
- LTspice和PLECS型号
- 应用说明PRD-08367 - 电动汽车充电功率拓扑设计指南
- 应用说明PRD-06752 - 分立SiC MOSFET的PCB布局技术
- 应用说明PRD-05652 - 通孔封装Wolfspeed SiC功率器件的安装建议和热测量
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支持几乎任何应用的功率拓扑、封装类型和电压范围。
发布日期: 2025-12-04
| 更新日期: 2025-12-22