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Wolfspeed HAS恶劣环境SiC半桥模块

Wolfspeed HAS恶劣环境碳化硅（SiC）半桥模块具有SiC的系统优势，同时保持稳健的行业标准62mm模块封装。得益于低电感布局，内部设计实现了高速SiC开关优势并提高了系统效率。Wolfspeed HAS模块非常适用于高频 工业应用，如感应加热、轨道/牵引、电机驱动器和电动汽车充电基础设施。

特性

  • 行业标准62mm占位面积，可进行系统改造
  • 提供各种额定电流和额定电压，可满足各种工业应用的要求
  • 高湿度运行：THB-80（HV-H3TRB）
  • 超低损耗、高频运行
  • 二极管零反向恢复
  • 来自 MOSFET 的零关断拖尾电流
  • 常关型、故障安全器件运行
  • 由于SiC的开关和导通损耗低，因此提高了系统效率
  • 快速上市，从62mm IGBT封装过渡所需的开发极少
  • 铜基板和氮化铝绝缘体

应用

  • 感应加热
  • 电机驱动器
  • 可再生能源
  • 铁路辅助和牵引
  • 电动车快速充电
  • UPS和SMPS

规范

  • 漏极-源极电压选项：1200V或1700V
  • 栅极-源极电压范围：-8V至+19V，推荐范围为-4V至+15V
  • 直流连续漏极电流范围：175A至630A（典型值）
  • 直流源极-漏极电流范围：236A至632A（典型值，肖特基二极管）
  • 脉冲漏极电流范围：350A至1060A（典型值）
  • 典型功耗范围：789W至2000W
  • 工作温度范围：-40 °C至+150 °C

原理图和引脚分配

原理图 - Wolfspeed HAS恶劣环境SiC半桥模块

资源

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物料编号 数据表 描述
HAS310M17BM3 HAS310M17BM3 数据表 分立半导体模块 SiC, Module, 310A, 1700V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
HAS530M12BM3 HAS530M12BM3 数据表 分立半导体模块 SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
HAS350M12BM3 HAS350M12BM3 数据表 分立半导体模块 SiC, Module, 350A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
HAS175M12BM3 HAS175M12BM3 数据表 分立半导体模块 SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
发布日期: 2024-07-12 | 更新日期: 2024-07-25