特性
- 超低损耗
- 高频工作
- 来自MOSFET的零关断拖尾电流
- 常闭、故障安全器件运行
- 氮化铝基板
- 可选的预涂热界面材料
- 实现紧凑、轻质的系统
- 可实现1500VDC系统的两级转换
- 得益于SiC的低开关和导通损耗,提高了系统效率
- 降低了散热要求和系统成本
- 提供第4代选项
应用
- DC快速充电器
- 储能系统
- 高效率转换器/逆变器
- 可再生能源
- 智能电网/并网分布式发电
- 太阳能逆变器
视频
电路图
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| CAB5R0A23GM4 | ![]() |
分立半导体模块 SiC, Module, 5mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial |
| CAB5R0A23GM4T | ![]() |
分立半导体模块 SiC, Module, 5mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM |
| CAB6R0A23GM4 | ![]() |
分立半导体模块 SiC, Module, 6mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial |
| CAB6R0A23GM4T | ![]() |
分立半导体模块 SiC, Module, 6mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM |
| CAB7R5A23GM4T | ![]() |
分立半导体模块 SiC, Module, 7.5mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM |
| CAB7R5A23GM4 | ![]() |
分立半导体模块 SiC, Module, 7.5mohm, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial |
发布日期: 2024-08-29
| 更新日期: 2025-03-12


