Zentel DDR3 SDRAM

Zentel DDR3 SDRAM采用8位预取管线架构,可实现高速数据传输。SDRAM采用双数据速率架构,每个时钟周期两次数据传输。它们采用双向差分数据选通(DQS和/DQS),并发送和接收在接收器处捕获的数据,DQS以边缘对齐进行数据读取,以中心对齐进行数据写入。差分时钟输入(CK和或CK),DLL将DQ和DQS转换与CK转换对齐。

特性

  • 采用8位预取管线架构实现高速数据传输
  • 双数据速率架构:每个时钟周期两次数据传输
  • 双向差分数据选通(DQS和/DQS),发送和接收在接收器处捕获的数据
  • DQS以边缘对齐进行数据读取,以中心对齐进行数据写入
  • 差分时钟输入(CK和/或CK)
  • DLL将DQ和DQS转换与CK转换对齐
  • 写数据数据掩码 (DM)
  • 通过可编程增加延迟拖延CAS,实现更高命令和总线效率
  • 片上端接 (ODT),可提高信号质量
    • 同步ODT
    • 动态ODT
    • 异步ODT
  • 在每个正向CK沿输入命令,在DQS的两个沿引用数据和数据掩码
  • 多功能寄存器 (MPR),用于预定义模式读出
  • ZQ校准,用于DQ驱动和ODT
  • 可编程部分阵列自刷新 (PASR)
  • RESET引脚,用于上电序列和复位功能
  • SRT(自刷新温度)范围
    • 正常/扩展
  • 自动自刷新 (ASR)
  • 可编程输出驱动器阻抗控制
  • 符合JEDEC标准的DDR3/DDR3L
  • 无RowHammer漏洞 (RH-Free):内部检测/阻断电路
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物料编号 数据表 描述
A3T2GF40CBF-HPI A3T2GF40CBF-HPI 数据表 动态随机存取存储器 DDR3&DDR3L 2Gb, 128Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
A3T8GF33BBF-GML A3T8GF33BBF-GML 数据表 动态随机存取存储器 DDR3L 8Gb, 1024Mx8 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78
A3T2GF40CBF-HP A3T2GF40CBF-HP 数据表 动态随机存取存储器 DDR3&DDR3L 2Gb, 128Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
A3T1GF30CBF-GM A3T1GF30CBF-GM 数据表 动态随机存取存储器 DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78
A3T1GF30CBF-GMI A3T1GF30CBF-GMI 数据表 动态随机存取存储器 DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
A3T1GF30CBF-GML A3T1GF30CBF-GML 数据表 动态随机存取存储器 DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78
A3T1GF30CBF-GMLI A3T1GF30CBF-GMLI 数据表 动态随机存取存储器 DDR3L 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78, Ind. Temp.
A3T1GF40CBF-GM A3T1GF40CBF-GM 数据表 动态随机存取存储器 DDR3 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-96
A3T1GF40CBF-GMI A3T1GF40CBF-GMI 数据表 动态随机存取存储器 DDR3 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
A3T1GF40CBF-GML A3T1GF40CBF-GML 数据表 动态随机存取存储器 DDR3L 1Gb, 64Mx16, 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96
发布日期: 2021-06-28 | 更新日期: 2022-03-11