Nexperia LFPAK88 Trench 9汽车用MOSFET
Nexperia LFPAK88 Trench 9汽车用MOSFET采用创新的8 mm x 8 mm占位面积，具有业界领先的功率密度，是D2PAK的替代产品。这些Nexperia MOSFET具有2倍的连续额定电流、终极热性能和可靠性以及高达60%的空间效率。Nexperia LFPAK88 Trench 9汽车用MOSFET有汽车AEC-Q101和工业级可供选择。
特性
- 完全符合汽车级AEC-Q101标准
- 额定温度范围为-55°C至175°C，适合在散热要求高的环境中使用
- LFPAK88封装
- 与D2PAK等旧引线接合封装相比，具有更小占位面积和更高功率密度，适合用于当今空间受限的大功率汽车应用
- 薄型封装和铜夹使LFPAK88具有高效散热性能
- LFPAK铜夹技术改进了对引线接合封装
- 提高最大电流能力并改进了电流分布
- 更先进的RDS（on）
- 低源电感
- 低热阻（Rth）
- LFPAK鸥翼型引线
- 与传统QFN封装不同，灵活的引线提高了电路板的可靠性，吸收机械和热循环应力
- 可视AOI焊接检查，无需昂贵的X射线设备
- 易于焊料润湿，实现良好机械焊点
- 独特的40 V Trench 9超级结技术
- 减小电池间距和超级结平台，可在相同占位面积中实现更低RDSon
- 与标准沟槽MOS相比，提高了SOA和抗雪崩能力
- 严格的VGS（th）限制可实现MOSFET的轻松并联
应用
- 12 V汽车系统
- 48V直流/直流系统（12V二次侧）
- 更大功率电机、灯泡和电磁控制
- 反极性保护
- LED照明
- 性能卓越的电源开关
LFPAK88调出
视频
相关MOSFET
Nexperia NextPowerS3 MOSFET
高性能25V、30V和40V MOSFET平台，采用超级结技术。
View Results ( 9 ) Page
| 物料编号 | 数据表 | Vds-漏源极击穿电压 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Qg-栅极电荷 |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK7S1R2-40HJ |  |
43 V | 300 A | 2.6 mOhms | 80 nC |
| BUK7S2R5-40HJ | |
40 V | 140 A | 2.5 mOhms | 38 nC |
| PSMN1R5-50YLHX | |
50 V | 200 A | 1.75 mOhms | 117 nC |
| BUK7S0R5-40HJ | |
40 V | 500 A | 500 uOhms | 190 nC |
| PSMN2R0-55YLHX | |
55 V | 200 A | 2.1 mOhms | 119 nC |
| BUK7S1R5-40HJ | |
43 V | 260 A | 3.27 mOhms | 67 nC |
| BUK7S1R0-40HJ | |
40 V | 325 A | 1 mOhms | 98 nC |
| BUK7S2R0-40HJ | |
40 V | 190 A | 2 mOhms | 50 nC |
| BUK7S0R7-40HJ | |
40 V | 425 A | 700 uOhms | 144 nC |
发布日期: 2020-08-21
| 更新日期: 2024-05-03